CVD‑SIC Coating 化学气相沉积碳化硅涂层

 CVD‑Coating碳化硅涂层，采用化学气相沉积工艺，在石墨、陶瓷等基材表面生长一层高纯致密SiC薄膜涂层。涂层结晶度高、致密度接近理论值，孔隙率极低，可隔绝基材与等离子体、腐蚀性工艺气体直接接触，弥补基材本身耐蚀、耐磨、颗粒析出等短板。

该涂层具备高硬度、高热导率、低热膨胀系数、优异抗热震与耐等离子轰击性能，能够承受半导体刻蚀、薄膜沉积设备内部高温、强腐蚀、等离子体冲刷的严苛工况，有效抑制基材释气与颗粒脱落，降低晶圆污染风险。可对腔体环、载盘、夹具、基座等零部件进行表面改性处理，延长零部件服役寿命，是半导体设备零部件国产化中重要的表面防护解决方案。