CVD‑SiC Ring

CVD‑SiC Ring为采用化学气相沉积工艺制备的高纯碳化硅环形零部件，广泛应用于主流半导体干法刻蚀设备腔体内部。材料致密度高、几乎无孔隙，具备高硬度、高热导率、低热膨胀系数、优异抗热震与耐等离子腐蚀性能，可抵御刻蚀过程中等离子轰击与化学侵蚀，抑制异物颗粒脱落污染晶圆。产品经过精密机加工，尺寸公差控制严格，能够适配不同设备腔体结构，在高温、强腐蚀的半导体制程环境中长期稳定服役，有效保护腔体本体，提升工艺一致性，是半导体刻蚀设备国产化替代的关键消耗件。