协积实业 绍兴东凯半导体

CVD设备核心清洁痛点与难点

          CVD（化学气相沉积）是半导体薄膜沉积的关键工艺，其腔体、气路、托盘等部件的洁净度直接决定薄膜质量与晶圆良率，全流程清洁痛点突出：

• 沉积作业环节：CVD过程中易产生未完全反应的前驱体残留、副产物颗粒，易附着在腔体内壁、气路管道及托盘表面，形成顽固薄膜层，传统清洁难以彻底清除，会导致后续沉积薄膜出现针孔、颗粒缺陷；
• 工艺切换环节：不同材质薄膜沉积切换时，残留的金属或介质杂质易造成交叉污染，接触式清洁易刮伤腔体内壁的耐腐蚀涂层，破坏腔体气密性；
• 高端制程环节：原子层沉积（ALD）等高端CVD工艺对洁净度要求达到原子级，人工清洁效率极低、一致性差，接触式清洁的二次损伤风险，进一步提升了清洁作业的技术难度。

东凯·非接触式旋风清洁设备解决方案

          针对上述痛点，我们的设备可精准适配CVD腔体特性，提供高效清洁保障：

• 特种结构设计：多吸入口布局，配合定向气流吹扫结构，高效收集前驱体残留与颗粒副产物，抑制粉尘飞散，杜绝清洁过程中的二次污染；
• 稳定性能保障：大功率转速监控+封闭性转轴升级，供气压波动或即使达到5.0㎏/㎠时仍保持恒定转速，适配CVD腔体的高温环境，确保清洁力度均匀且不损伤内壁涂层；
• 精准高效清洁：基于现场经验与气流模拟算法，优化气嘴材质与气流参数，实现非接触式精密除尘与残膜吹扫，彻底清除腔体、气路及托盘表面的顽固杂质；
• 降本提质优势：可实现CVD腔体离线自动化清洁，减少人工干预，提升工艺切换效率与薄膜沉积良率，降低晶圆报废成本，适配各类高端CVD工艺场景。