协积实业 绍兴东凯半导体

• 晶圆研磨垫是化学机械研磨（CMP）工艺的核心耗材，其表面洁净度与纹理完整性直接决定研磨精度和晶圆表面质量，全流程清洁痛点突出：
• 研磨作业环节：研磨过程中会持续产生硅粉、研磨液残渣、金属离子污染物，易嵌入研磨垫的微孔隙与沟槽中，传统清洁方式难以深度清除，会导致研磨速率不均、晶圆表面出现划痕或凹陷；
• 在线维护环节：人工或接触式清洁易损伤研磨垫表面的微结构，破坏其弹性与平整度，缩短研磨垫使用寿命；同时清洁不彻底会造成交叉污染，影响后续晶圆研磨的一致性；
• 更换周转环节：研磨垫存放与转运时易吸附环境微尘、油污，若清洁不到位，首次使用即会对晶圆造成污染，高端制程对研磨垫洁净度的严苛要求，进一步加剧了清洁操作的难度。

东凯·非接触式清洁设备解决方案

          针对上述痛点，我们的设备可精准适配研磨垫的材质特性与结构特点，高效解决清洁难题：

• 特种结构设计：多吸入口分区布局，配合负压吸附与定向气流疏导，高效收集研磨垫孔隙内的污染物，抑制粉尘飞散，杜绝清洁过程中的二次污染；
• 稳定性能保障：高端转速监控+耐磨转轴升级，供气压波动或即使达到5.0㎏/㎠时仍保持恒定转速，确保对研磨垫表面微结构的清洁力度均匀，不损伤耗材本体；
• 精准高效清洁：基于现场经验与气流模拟算法，优化气嘴排列与气流角度，实现非接触式精密除尘，彻底清除孔隙内的硅粉、研磨液残留，还原研磨垫表面纹理；
• 降本提质优势：无需人工干预，可适配研磨垫在线/off-line清洁场景，提升清洁效率与一致性，延长研磨垫使用寿命，降低耗材更换成本与晶圆研磨不良率，适配各类CMP高端制程。